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          SVG 動態無功補償裝置的基本原理就是將自換相橋式電路通過電抗器或變壓器并聯在電網上，適當的調節橋式電路交流側輸出電壓相對系統電壓的相位和幅值，迅速吸收或發出滿足要求的無功電流，實現快速動態無功補償的目的。其基于 VSC(Voltage Source Converter, 電壓源變流器 ) 的結構實現了無功補償方式質的飛躍，不需采用大容量的電容、電感器件，而是通過可關斷大功率電力電子器件 IGBT 將直流側電壓轉換成交流側與電網同頻率的輸出電壓，實現無功能量的交換，補償基波無功。





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這也是為什么許多線路板在高頻率器件VCC引腳處置放小電容的緣故之一（在vcc腳位上一般串聯一個去藕電容，那樣溝通交流份量就從這一電容接地裝置。）配備標準以下：開關電源鍵入端跨接線一個10～100uF的電解電容器，假如印制電路板的部位容許，選用100uF之上的電解電容器的抗干擾性實際效果會更好。為每一個集成電路芯片芯片配備一個0.01uF的瓷器電容器。如碰到印制電路板室內空間小而放不進時，可每4～10個芯片配備一個1～10uF鉭電解電容器，這類器件的高頻率特性阻抗尤其小，在500kHz～20MHz范疇內特性阻抗低于1Ω，并且泄露電流不大（0.5uA下列）。針對噪音工作能力弱、關閉時電流量轉變大的器件和ROM、RAM等儲存型器件，應在芯片的電源插頭（Vcc）和接地線（GND）間立即連接去耦電容。去耦電容的導線不可以太長，尤其是高頻率旁通電容不可以帶導線。

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